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Le BS170 est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal N.
Sa fabrication minimise la résistance à l'état passant tout en offrant une performance de commutation robuste, fiable et rapide.
Il est compatible avec la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
Polarité transistor : Canal N
Courant de drain Id : 500mA
Tension Vds max : 60V
Résistance Rds(on) : 1.2ohm
Tension, mesure Rds : 10V
Tension de seuil Vgs : 2.1V
Dissipation de puissance Pd : 830mW
Type de boîtier de transistor : TO-92
Nombre de broches : 3 Broches
Température de fonctionnement max : -55°C à +150°C
Data sheet
| Voltage | 60 V |
| Type | Transistor |
| Temperature | -55°C à +150°C |
| Courant | 0.5A |
| Nombre de broches | 3 broches |
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